金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)

金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 是一种可以控制电子信号的晶体管。MOSFET 的基本原理是电子（改变载流子）沿通道流动；MOSFET 的导通由沟道宽度决定，沟道宽度可以通过栅极（电极）改变。

金属氧化物半导体场效应晶体管最常用于通过改变通过电子信号的电流来放大或切换电子信号。它们用于计算机中的高速交换和集成电路的网络硬件设备。通道越宽，晶体管的导电性越好。带电电子从源点进入沟道，并通过漏极离开。栅电极通过改变通道上和通过通道的电压来控制通道的宽度。栅极位于源极和漏极之间，并通过极薄的金属氧化物层与沟道绝缘。绝缘可防止电流在栅极和沟道之间流动。